| 発表者 | 論文題目 | 日時 | 場所 |
|---|---|---|---|
| BARRY Ousmane I | Growth and characterization of nonpolar m-plane GaN on bulk GaN substrates: prospects of high-performance electronicdevices (m面バルクGaN基板上への非極性GaNの成長とその評価：高性能電子デバイス創成の可能性) |
平成30年7月23日(月) 13時00分～14時30分 |
IB電子情報館 電気系会議室 |
| Prayitno Abadi | Statistical Study of Equatorial Plasma Bubbles in Southeast Asia Using Ionosondes, GPS, and Equatorial Atmosphere Radar (イオノゾンデ、GPS及び赤道大気レーダーを用いた東南アジアにおける赤道プラズマバブルの統計的研究) |
平成30年8月27日(月) 10時00分～11時30分 |
研究所共同館I 717号室 |
| 酒井 伊都子 | 超大規模集積回路製造用プラズマエッチングにおける加工形状の制御に関する研究 (Study on control of etch profile in plasma etching for ultra large-scale integration fabrication) |
平成30年8月24日(金) 14時35分～16時05分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 根岸 伸幸 | 大規模集積回路プラズマプロセスにおける微細パターン形状制御の研究 (Study on control of fine patterning in ULSI plasma processes) |
平成30年8月24日(金) 13時00分～14時30分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 松本 光二 | Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究 (Study on improvement of characteristics of AlN buffer and GaN layers for GaN high frequency power device on Si substrate) |
平成30年8月24日(金) 9時00分～10時30分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 楊 旭 | Synthesis of hexagonal boron nitride by metalorganic chemical vapor deposition for advanced semiconductor devices (次世代半導体デバイス創成のための有機金属化合物気相成長法による六方晶窒化ホウ素の合成) |
平成30年8月24日(金) 10時30分～12時00分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 管 勃 | Study on Neutral Point Potential Control based on New Degrees of Freedom for Three Level Neutral Point Clamped Converter (新たな自由度に基づく3レベル中性点クランプ型コンバータの中性点電位制御に関する研究) |
平成30年8月27日(月) 8時45分～10時15分 |
IB電子情報館 電気系会議室 |
| 今井 駿 | Study on electrochemical characteristics of carbon nanowalls composite materials for fuel cell applications (カーボンナノウォール複合材料の電気化学特性および燃料電池応用に関する研究) |
平成31年2月21日(木) 13時00分～14時30分 |
ES総合館 ES033講義室 |
| 宇佐美 茂佳 | 窒化ガリウム自立基板上縦型p-n接合ダイオードの貫通転位解析及びリーク電流低減に関する研究 (Study on threading dislocation analysis and leakage current reduction of vertical p-n junction diodes on gallium nitride free-standing substrates) |
平成31年2月20日(水) 10時00分～12時00分 |
研究所共同館Ⅱ 2Fホール |
| 木原 直人 | Plasma processes for circulating tumor cells isolation devices (血中循環がん細胞捕捉デバイスに向けたプラズマプロセス) |
平成31年2月25日(月) 13時00分～14時30分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 杉浦 啓嗣 | Control of Properties of Amorphous Carbon Thin Films by Internal Parameters of a Low-Temperature Plasma (低温プラズマの内部パラメータによるアモルファスカーボン薄膜の物性制御) |
平成31年2月21日(木) 15時00分～16時30分 |
ES総合館 ES033講義室 |
| 東松 真和 | Study of electrochemical surface reactions on carbon nanowalls synthesized by plasma processes (プラズマプロセスにより合成したカーボンナノウォール上の電気化学的表面反応の研究) |
平成31年2月25日(月) 10時30分～12時00分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| 福永 裕介 | Study on Etched Profile Control and the Surface Reaction for Organic Material Plasma Etching (有機物のプラズマエッチングにおけるエッチング形状制御とその表面反応に関する研究) |
平成31年2月21日(木) 9時00分～10時30分 |
ES総合館 ES033講義室 |
| 宮島 秀史 | ロジックデバイスにおける低誘電率層間絶縁膜形成プロセスに関する研究 (Study on process engineering of low-k inter-layer-dielectric film for high-speed logic devices) |
平成31年2月25日(月) 9時00分～10時30分 |
NIC棟 Idea Stoa |
| BORUDE Ranjit Rohidas | Study on synthesis processes and characterization of tin and carbon nanocomposites (錫と炭素のナノ複合材料の合成プロセスと特性評価に関する研究) |
平成31年2月21日(木) 16時30分～18時00分 |
ES総合館 ES033講義室 |
| LIU Zhibin | Study of high-quality InGaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy (有機金属気相成長法による高品質のInGaN成長に関する研究) |
平成31年2月20日(水) 17時00分～19時00分 |
研究所共同館Ⅱ 2Fホール |
| 木下 雅之 | 高速二眼カメラを用いた可視光通信・車両前方距離推定統合システム (Visible Light Communication and Ranging Integrated System Using High-speed Stereo Cameras) |
平成31年2月21日(木) 10時00分～12時00分 |
IB電子情報館 IB071講義室 |
| 竹下 仁士 | 高効率空間・波長多重光ネットワーク実現法に関する研究 (Realization of Efficient Space/Wavelength Division Multiplexing Optical Networks) |
平成31年2月27日(水) 15時00分～16時30分 |
IB電子情報館 819号室 |
| 中山 陽介 | 過変調領域まで動作可能な永久磁石同期モータベクトル制御系におけるフィルタ設計法 (A Filter Design for Permanent MagnetSynchronous Motor Vector ControlOperable also in Overmodulation Regionof Inverter) |
平成31年2月25日(月) 9時00分～10時15分 |
IB電子情報館 電気系会議室 |
| 藤田 秀 | A Study on Efficient Light FieldProcessing Considering Its Structure (光線空間の構造を考慮した効率的な処理手法に関する研究) |
平成31年2月21日(木) 16時00分～17時30分 |
IB電子情報館 電気系会議室 |
| 宋 河珉 | インダクタンス空間分布の正弦波性を前提としない永久磁石同期モータの位置センサレス制御 (A Position Sensorless Control for PMSMnot premised on the SinusoidalCharacteristic of Inductance Spatial Distribution) |
平成31年2月25日(月) 10時30分～11時45分 |
IB電子情報館 電気系会議室 |
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