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教授

牧原 克典
まきはら かつのり

〒464-8603　愛知県名古屋市千種区不老町　名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス講座 機能集積デバイス研究グループ部屋: IB電子情報館 北棟1F　105号室
E-mail: makihara@***
お手数ですが***はnuee.nagoya-u.ac.jpに変換してください

生年月

  • 1977年9月生

職歴

  • 日本学術振興会 特別研究員(PD) (2007 - 2009)
  • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 研究員 (2009 - 2010.11)
  • 名古屋大学大学院 工学研究科 助教 (2010.12 - 2014.3)
  • 名古屋大学大学院 工学研究科 准教授 (2014.4 - 2024.3)
  • IHP : Innovations for High Performance Microelectronics 客員研究員 (2019.5 - 2019.8, 2022.5 - 2022.8)
  • 名古屋大学 未来社会創造機構 ナノライフシステム研究所 量子科学技術・量子生命科学研究部門 (2020.12 - ) 【兼任】
  • 名古屋大学 大学院工学研究科 付属 クリスタルエンジニアリング研究センター (2023.4 - ) 【兼任】
  • 名古屋大学大学院 工学研究科 教授 (2024.4 - )
　　　

専門分野

  • 固体物理学，半導体工学，集積化デバイス・プロセス
　　　

研究分野

  • 半導体工学

競争的資金

  • [代表] 公益財団法人 日比科学技術振興財団　研究助成、研究期間：2023年5月～2024年3月31日(予定)
  • [分担] 科学研究費補助金 基盤研究（A）、研究期間：2021年4月1日～2024年3月31日(予定)
  • [代表] 科学研究費補助金 基盤研究（A）、研究期間：2019年4月1日～2023年3月31日
  • [代表] 科学研究費補助金 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(A)) 、研究期間：2019年4月1日～2024年3月31日(予定)
  • [代表] 財団法人 立松財団 A1.特別研究助成、研究期間：2019年4月1日～2021年3月31日
  • [代表] 科学研究費補助金 挑戦的萌芽、研究期間：平成29年4月1日～平成31年3月31日
  • [分担] 科学研究費補助金 基盤研究（S）、研究期間：平成27年4月1日～平成30年3月31日
  • [代表]科学研究費補助金 若手研究（A）、研究期間：平成27年4月1日～平成29年3月31日
  • [代表]科学研究費補助金 若手研究（A）、研究期間：平成25年4月1日～平成27年3月31日
  • [分担] 科学研究費補助金 基盤研究（A）、平成24年4月1日～平成26年3月31日
  • [代表] 日本学術振興会 研究者海外派遣基金助成金「組織的な若手研究者等海外派遣プログラム」(広島大学) 理工農系：サステナブル社会の実現に貢献する自然科学系国際的若手研究者の育成プログラム、派遣期間：平成22年10月10日～平成22年10月15日 米国・ラスベガス
  • [代表] 科学研究費補助金 若手研究（スタートアップ）、研究期間：平成21年4月1日～平成23年3月31日
  • [代表] 科学研究費補助金 特別研究員奨励費、研究期間：平成19年4月1日～平成21年3月31日

学術論文（最近代表20件）

  1. K. Makihara, Y. Yamamoto, Y. Imai, N. Taoka, M. A. Schubert, B. Tillack, and S. Miyazaki, “Room Temperature Light Emission from Superatom–like Ge–core/Si–shell Quantum Dots”, Nanomaterials 13(9), 1475 (8pages) (2023); https://doi.org/10.3390/nano13091475
  2. Y. Imai, R. Tsuji, K Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Alignment control of self-assembling Si quantum dots”, Materials Science in Semiconductor Processing 162, 107526 (4pages) (2023); https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107526
  3. S. Miyazaki, Y. Imai, and K. Makihara, “Characterization of Light Emission Properties of Impurity Doped Ge/Si Core–Shell Quantum Dots”, ECS Trans. 109, 335 (2022);https://iopscience.iop.org/article/10.1149/10904.0335ecst/meta
  4. T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111)”, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SC1059 (2022);https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb1fd
  5. S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Formation of Ultra-thin NiGe Film with Single Crystalline Phase and Smooth Surface”, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SC1027 (2022);https://doi.org/10.35848/1347-4065/acac6f
  6. T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties”, Jpn. J. Appl. Phys.. 62, SA1002 (5pages) (2022);https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac73d9
  7. K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki, "Impact of substrate heating during Al deposition and post annealing on surface morphology, Al crystallinity, and Ge segregation in Al/Ge(111) structure, Jpn. J. Appl. Phys. 61, SH1012 (2022);https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5fbc
  8. Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique", Jpn. J. Appl. Phys. 61, SD1012 (2022);https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac61aa
  9. H. Furuhata, K. Makihara, Y. Shimura, S. Fujimori, Y. Imai, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki, "Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4", Applied Physics Express 15, 055503 (4pages) (2022);https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac6727
  10. K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki, “Study on Electron Emission from Phosphorus d-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures”, IEICE Trans, on Electronics E102-5, 610-615 (2022).
  11. J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta and S. Miyazaki, "Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots", IEICE Trans, on Electronics E102-5, 616-621 (2022).
  12. S. Miyazaki, and K. Makihara, “Impact of Boron Doping and H2 Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots”, ECS Trans. 104(4), 105-112, (2022); 10.1149/10404.0105ecst
  13. S. Honda, K. Makihara, N. Taoka, H. Furuhata, A. Ohta, D. Oshima, T. Kato, and S. Miyazaki, “Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots”, Jpn. J. Appl. Phys. 61, SA1008(5 pages), (2022); https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac2036
  14. A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,“Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal”, Jpn. J. Appl. Phys. 60, SBBK05(6pages) (2021), doi.org/10.35848/1347-4065/abdad0
  15. A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,“Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy”, Japanese Journal of Applied Physics 60, SA, SAAC02(6pages) (2020), doi.org/10.35848/1347-4065/abb75b
  16. T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, “Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode”, ECS Transactions 98, 429-434 (2020).
  17. J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki, “Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe”ECS Transactions 98, 493-498 (2020).
  18. H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, “Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing”, ECS Transactions 98, 505-512 (2020).
  19. Takuya Maehara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazak, “Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core”, Materials Science in Semiconductor Processing 120, 105215 (2020); https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105215
  20. Katsunori Makihara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and SeiichiMiyazaki, “Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core”, Materials Science in Semiconductor Processing 120, 105250 (2020); https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105250

国際会議での講演

  1. [Invited] K. Makihara, Y. Yamamoto, B. Tillack, and S. Miyazaki, "Fabrication and Characterization of Ge/Si Core-Shell Quantum Dots for Light Emission Devices", Symposium Light emission and photonics of group IV semiconductor nanostructures (Nagoya University, Dec. 14, 2022).
  2. K. Makihara, Y. Yamamoto, Y. Imai, N. Taoka, M. A. Schubert, B. Tillack, and S. Miyazaki, "Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots", The 6th International Conference on Electronics, Communications and Control Engineering, CL0060-A (Fukuoka & Hybrid, March 24-26, 2023).
  3. K. Makihara, Y. Yamamoto, Y. Imai, N. Taoka, M. A. Schubert, B. Tillack,and S. Miyazaki, "Structural and Light-emission Properties of High–density Superatom–like Ge–core/Si–shell Quantum Dots", 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Technical Program (ISCSI-IX), MP2-14 (Nagoya University, Nagoya, Japan, Sept. 5-8, 2022).
  4. [Invited] K. Makihara, and S. Miyazaki, "High Density Formation and Light Emission Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core", 2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021), (Virtual, September 24, 2021).
  5. K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki, "Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures", 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), K-2-01 (All-VIRTUAL Conference, Sept. 6-9, 2021).
  6. [Invited] K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki, "Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices", 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, S2-3 (Sendai, Nov. 27-30, 2019).
  7. [Invited] K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices", Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuB3-3 (Nara, May 19-23, 2019).
  8. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure", 41st International Symposium on Dry Process, P-54 (Hiroshima, Nov. 21-22, 2019).
  9. K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties", 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference, 30P-7-54L (Hiroshima, Oct. 28-31, 2019).
  10. [Invited] K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices", Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuB3-3 (Nara, May 19-23, 2019).
  11. Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki, "Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment", International Conference of Atomic Control Surface and Interface-14 (ACSIN-14), Sendai, Oct. 21-25, 2018, 22P006.
  12. Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki, "Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection", 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference; 9th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) (Potsdam, Germany, May 27-31, 2018).
  13. [Invited] K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki,"Luminescence Studies of Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core", 11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, I-09 (Feb. 23-24, Sendai,Japan)
  14. K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate" 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, PS-9-03, (Sendai International Center, Sendai, Japan, September 19-22, 2017)
  15. K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, "Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots", 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 8A-3 (Gyeongju, Korea, July 3-5, 2017)
  16. K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, "Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures", 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-6-02.
  17. K. Makihara, Y. Kabeya, A. Ohta, T. Kato, A. Iwata and S. Miyazaki, "Formation and Characterization of High Density FePt Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen", 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sappro, September 27 - 30, 2015, G-3-6.
  18. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, "Plasma-enhanced Self-assembling Formation of High-density Metallic Nanodots on Ultrathin SiO2", Nagoya University (NU) & Sungkyunkwan University (SKKU) Joint Symposium 2014, Suwon, Korea, November 26-27.
  19. [Invited]K. Makihara, T. Yamada, K. Kondo and S. Miyazaki, "Luminescence Studies of High Density Si-based Quantum Dots", JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Leuven, Belgium, November 12-13, 2014, 4.3.
  20. K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, "Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core", 226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), Cancun, Mexico, October 6-9, 2014, 1795.
  21. K. Makihara, R. Fukuoka, H. Zhang, A. Ohta, Y. Tokuda, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki, "Crystalline Structure and Magnetic Properties of FePt Alloy Nanodots", International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-005.
  22. K. Makihara, N. Tsunekawa, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM Probe Technique", 2014 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2014), (Singapore, June, 2014) P37.
  23. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Selective Crystallization and Metallizatioin of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma", 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014), (Nagoya, Mar., 2014) 5aB03O.
  24. K. Makihara and S. Miyazaki, "Alignment Control and Electrical Coupling of Si-based Quantum Dots", 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), O-6.
  25. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, "Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-Based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes", 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (Hokkaido, Nov., 2013), 6D-3-1.
  26. K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots", 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013), Seoul, Korea, June 26 - 28, 2013, 8B-2.
  27. K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, S. Miyazaki, "Characterization of Electroluminescence from Self-Aligned Si-Based Quantum Dots Stack by Intermittent Bias Application", The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) , Fukuoka, June 3-7, 2013, A3-3.
  28. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, "High-density Formation and Characterization of Nanodots for Their Electron Device Application", 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), A-2.
  29. K. Makihara, J. Gao, D. Takeuchi, K. Sakaike, S. Hayashi, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki, "Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-coupled Plasma -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-", 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013) P2016A.
  30. K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes", 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium (Honolulu, HI, Oct., 2012) 3154.
  31. K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki "Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-", 2012 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012), (Berkeley, CA, June, 2012) pp. 138-139.
  32. K. Makihara, C. Liu, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Study of Electron Transport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots", 2012 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012), (Berkeley, CA, June, 2012) pp. 182-183.
  33. K. Makihara, H. Deki, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy", The 5th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2012), (Inuyama, Mar., 2012) P-64.
  34. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, "Formation of PtAl-Alloy Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma", The 5th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2012), (Inuyama, Mar., 2012) P-65.
  35. K. Makihara, H. Deki, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots on Untrathin SiO2 and Its Application to Light Emitting Diodes", 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012), (Kasugai, Mar., 2012) P2105C.
  36. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, R. Ashihara, S. Higashi and S. Miyazaki, "Formation of PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma", 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), (Kyoto, Nov. 2011) P-S2-27.
  37. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, "Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density", 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (Nagoya, Sept., 2011) I-8-1.
  38. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, "Local Electrical Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films By Kelvin Force Microscopy", 24rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductor (ICANS 24), (Nara, Aug., 2011) 1C2-5, p. 44.
  39. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, "Electrical Characterization of NiSi-NDs/Si-QDs Hybrid Stacked Floating Gate in MOS Capacitors", 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011), Daejeon, Korea, June 29 - July 12, 2011, 1A.11.
  40. K. Makihara, N. Morisawa, M. Ikeda, K. Matsumoto, M. Yamane, S. Higashi and S. Miyazaki, "Electrical Charging Characteristics of Pt-Nanodots Floating Gate in MOS Capacitors", The 4th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2011), (Takayama, Mar., 2011) P-36.
  41. K. Makihara, T. Matsumoto, T. Fujioka, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Formation of Pt-germanide from Pt/a-Ge:H by Remote Hydrogen Plasma Exposure", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011), (Nagoya, Mar., 2011) P2-053C, p.123.
  42. K. Makihara, K. Matsumoto, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet", International Symposium on Dry Process (DPS2010), (Tokyo, Nov., 2010).
  43. K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki, "Self-Align Formation of Si Quantum Dots", 218th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium (Las Vegas, Nevada, Oct., 2010) 12. 3.>
  44. K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Fujioka, T. Matsumoto, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Formation of Pt-germanide from Pt/a-Ge:H by Remote Hydrogen Plasma Treatment at Atmosphere Temperature", 7th International Conference on Reactive Plasmas / 28th Symposium on Plasma Processing / 63rd Gaseous Electronics Conference (ICRP-7 / SPP-28 / GEC-63), (Paris, France, Oct., 2010).
  45. K. Makihara, R. Ashihara, M. Ikeda, A. Ohta, N. Morisawa, T. Fujioka, H. Murakami and S. Miyazaki, "Formation of PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma", International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo, June, 2010) p. 73.
  46. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, "High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2", 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010), (Stockholm, Sweden, May, 2010) 1910255.
  47. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, R. Ashihara and S. Miyazaki, "Charging and magnetizing Characteristics of Co Nanodots", The 3rd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2010), (Nagoya, Mar., 2010) P-50.
  48. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment, 2009 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2009), (Sapporo, Nov., 2009) 18D-7-66, pp. 286-287.
  49. K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Okada, H. Kaku, K. Shimanoe, A. Ohta, M Ikeda, S, Higashi and S, Miyazaki, "Selective Crystallization of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma", 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductor (ICANS 23), (Utrecht, Nethelands, Aug., 2009) ID 436, p. 360.
  50. K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki, "Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots", 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Busan, Korea, June, 2009) 3A-6.
  51. K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, A. Fujimoto, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Formation Mechanism of Metal Nanodots Induced by Remote Plasma Exposure", The European Materials Research Society (E-MRS) 2009 Spring Meeting, (Strasbourg, France, June, 2009) Q8-19.
  52. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi and S. Miyazaki, "Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique", International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008), (Nagoya, Nov., 2008) ZO-12, p. 213.
  53. K. Makihara, A. Ohta, R. Matsumoto, M. Ikeda, K. Shimanoe, S. Higashi and S. Miyazaki, "Characterization of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ni-Silicide Nanodots Formed by a Remote H2-Plasma Assisted Technique", The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4), (Matsue, Oct., 2008) 28A04, p. 45.
  54. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2", 214th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium, (Honolulu, Oct., 2008) #2403.
  55. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda and S. Miyazaki, "AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces", 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), (Sendai, Sep., 2008) P-09, pp. 39-40.
  56. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2, 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), (Sendai, Sep., 2008) P-08, pp. 37-38.
  57. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots", 4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008), (Hsinchu, Taiwan, May, 2008) Mon-P1-10, pp. 147-148.
  58. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics", 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007), (Tsukuba, Sep., 2007) I-8-1, pp.1108-1109.
  59. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM", 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007), (Gyeongju, Korea, June, 2007) J-R22W, pp. 251-254.
  60. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi and S. Miyazaki, "Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application", 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, (Kyoto, June, 2007) 5-3, pp. 161-162.
  61. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics", 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), (Marseille, France, May, 2007) 22P 2-15, pp. 313-314.
  62. K. Makihara, K. Shimanoe, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Formation of Ni Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma", The European Materials Research Society (E-MRS) 2007 Spring Meeting, (Strasbourg, France, May, 2007) K-3 4.
  63. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2", The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka, Apr., 2007) PB-5, pp. 121-122.
  64. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique", International Union Material Research Society - International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2006), (Jeju, Korea, Sep., 2006) 5-O-7, p. 82.
  65. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and Its Floating Gate Application", 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006), (Sendai, July, 2006) 6A-5, pp.135-138.
  66. K. Makihara, T. Nagai, M. Ikeda, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate", The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Kyoto, Apr., 2006) PB-2, pp. 67-68.
  67. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, "Study of Charged states of Si Quantum Dots with Ge Core", 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing, and Device Symposium, (Cancun, Mexico, Oct., 2006) #1425.
  68. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "The Application of Multiple-Stacked Si Quantum Dots to Light Emitting Diodes", 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005), (Seoul, Korea, June, 2005) A9.3, pp. 173-176.
  69. K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Fabrication of Multiply-Stacked Structures Consisting of Si-QDs with Ultrathin SiO2 and Its Application of Light Emitting Diodes", First International Workshop in New GroupIV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2005), (Sendai, May, 2005) P-13, pp. 47-48.
  70. K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki, "Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/KFM Probe", Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Hyogo, May, 2005) 23D-6, p. 32-33.
  71. K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Light Emitting Devices from Multilayered Si Quantum Dots Structures", The 2005 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Kyoto, Apr., 2005) P-D5, pp. 93-94.
  72. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Fabrication of Multiple-Stacked Si Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes", The 4th International Symposium on Nanotechnology, (Tokyo, Feb., 2005) P-3-19, pp. 168-169.
  73. K. Makihara, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO2 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments", 2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2004), (Osaka, Oct., 2004) 28P-6-68L, pp. 216-217.
  74. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Characterization of germanium nanocrystallites grown on quartz by a conductive AFM probe technique", 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2004), (Sasebo, June, 2004) A10.5, pp. 277-280.
  75. K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki, "Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment", 12th Int. Conf. on Solid Films and Surface (ICSFS-12), (Hamamatsu, June, 2004) A5-2, p. 137.
  76. Y. Okamoto, K. Makihara, S. Higasi and S. Miyazaki, "Formation of Microcrystalline Germanium (μc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD", 12th International Conference on Solid Films and Surface (ICSFS-12), (Hamamatsu, June, 2004) A2-3, p. 10.
  77. K. Makihara, Y. Okamoto, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, "Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe", 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2003), (Busan, Korea, June, 2003) 2.4, p. 37-40.　
  78. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, "Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe", The 16th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM16), (Tokyo, June, 2003) B6-3, p. 115.

国内学会での発表

  1. 牧原 克典、Yamamoto Yuji、Schubert Markus Andreas、田岡 紀之、Tillack Bernd、宮﨑 誠一、「Reduced-Pressure CVDにより形成したGeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性評価」、17p-D221-1、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  2. 牧原 克典, Yuji Yamamoto, 今井 友貴, 田岡 紀之, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, 宮﨑 誠一、「GeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-22 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  3. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「Electroluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core」，2021年度 ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム、松江テルサ（ハイブリット(対面,オンライン併用)）、2021年12月1日-2日
  4. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「ナノドットによる量子物性制御デバイスの開発」，令和３年度「放射線科学とその応用第186委員会」第38回研究会、オンライン、2021年5月18日
  5. 牧原 克典、Yamamoto Yuji、藤森 俊太郎、前原 拓哉、池田 弥央、Tillack Bernd、宮崎 誠一、「Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価」，第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-D305-5，（講演会開催中止）
  6. [招待講演] 牧原克典、宮崎誠一，「Si-Geナノ構造制御で展開する電子デバイス開発」，2018年日本表面真空学会中部支部研究会 (於 静岡大学, 2018年11月30日)
  7. [招待講演] 牧原克典、宮崎誠一，「ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発と機能進化・高度化への挑」戦，第3回ニューフロンティアリサーチワークショップ (於 岐阜大学, 2018年6月8日)
  8. 牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一，「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F104-5 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  9. 牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一、「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性 」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-A414-2, 12-027 (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  10. 牧原 克典、宮崎 誠一、「金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成」名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第１回合同シンポジウム～中部ものづくりは名大から～, (名古屋大学), 2月2014年
  11. 牧原克典、福岡諒、張海、壁谷悠希、大田晃生、宮崎誠一，「リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 機械振興会館)，SDM2013-53，6月2013年
  12. 牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「自己組織化形成Si 系量子ドットの選択成長」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-6, 3月2013年
  13. ［招待講演］牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用」，シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/電子デバイス研究会（ED）/電子部品・材料研究会（CPM） [結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料）]，(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，ED2012-17，5月2012年
  14. 牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一，奨励賞受賞記念講演：「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPt およびPt シリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-B3-1, 3月2012年
  15. 牧原克典、恒川直輝、池田弥央、宮崎誠一，「AFM/KFM による一次元連結・高密度Si 系量子ドットの帯電状態の経時変化計測」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-8, 3月2012年
  16. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「一次元縦積み連結Si 系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-7, 3月2012年
  17. 牧原克典、池田弥央、山根雅人、東清一郎、宮崎誠一, 「プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2p-ZQ-3, 9月2011年
  18. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1p-J-9, 9月2011年
  19. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」，第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 14p-ZD-8, 9月2010年
  20. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成」，第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 19a-C-4 , 3月2010年
  21. 牧原克典、池田弥央、川浪　彰、東清一郎、宮崎誠一, 超高密度Si量子ドットにおける二次元電気伝導, 第56回春季応用物理学会, 1a-P13-16, 茨城, 3月2009年
  22. 牧原克典、Syed Mahboob、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、黒田章夫, AFM/KFMによる水素終端Si表面およびSi熱酸化膜表面に吸着したSi結合タンパク質の電気的検出, 第69回秋季応用物理学会, 3p-P10-16, p.1098, 名古屋, 9月2008年
  23. 牧原克典、大田晃生、松本龍児、池田弥央、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一, リモート水素プラズマ支援により形成したNiシリサイドナノドットの化学結合状態および電子状態評価, 第55回春季応用物理学会, 30a-ZR-9, p.822, 千葉, 3月2008年
  24. 牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 不純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響, 第54回春季応用物理学会, 28p-K-3, p.821, 神奈川, 3月2007年
  25. 牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによる不純物添加Si量子ドットの帯電評価, 第67回秋季応用物理学会, 31p-ZN-16, p.698, 滋賀, 8月2006年
  26. 牧原克典、永井武志、池田弥央、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 価電子制御したSi量子ドットフローティングにおける電荷注入・放出特性, 第53回春季応用物理学会, 24p-X-12, p.924, 東京, 3月2006年
  27. 牧原克典、池田弥央、永井武志、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices, The 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, G1-011-D, p.168, 東京, 11月, 2005年
  28. 牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるBドープSi量子ドットの帯電状態評価", 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-2, p.649, 徳島, 9月2005年
  29. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価, 応用物理学会2005年度中国四国支部例会, Fp-6, p.119, 島根, 7月2005年
  30. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-10, p.877, 東京, 3月2005年
  31. 牧原克典、中川博、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, ドライ一貫プロセスによる高密度Siドット/SiO2立体積層構造の作成, 第65回秋季応用物理学会, 1p-ZC-10, p.662, 仙台, 9月2004年
  32. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, リモート水素及び酸素プラズマ前処理によるSiドット核密度制御, 第65回秋季応用物理学会, 3a-B-3, p.664, 仙台, 9月2004年
  33. 牧原克典、出木秀典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, リモート水素プラズマ処理によるSiドット核密度制御, 第51回春季応用物理学会, 31p-B-4, p.853, 東京, 3月2004年
  34. 牧原克典、柴口拓、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによる高密度Si量子ドットの帯電状態評価, 第51回春季応用物理学会, 31a-ZG-10, p.839, 東京, 3月2004年
  35. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 導電性AFM探針による結晶性ゲルマニウム薄膜の伝導評価, 第64回秋季応用物理学会, 2a-ZF-6, p.834 福岡, 9月2003年
  36. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, , 微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価, 応用物理学会2003年度中国四国支部例会, DA-5, p.71, 山口, 8月2003年
  37. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価, 第50回春季応用物理学会, 27 a11-M9, p.975, 東京, 3月2003年
  38. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第20回プラズマプロセシング研究会, P2-48, p.321, 長岡, 1月2003年
  39. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFMカンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, p.112-113, 東京, 11月2002年
  40. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性カンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第63回秋季応用物理学会, 24p-ZM-14, p.847, 新潟, 9月2002年
  41. 牧原克典、清水智弘、高橋由美子、高瀬浩一、高野良紀、関澤和子, LaOCuSにおけるLaおよびCuサイトの同時置換効果, 日本物理学会　2001年秋季大会, 17pPSA-34, 徳島, 9月2001年

特許

  1. 半導体素子, 出願番号：特願2007-131078，出願日：2007年5月16日，公開番号：特開2008-288346，公開日：2008年11月27日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎，村上秀樹
  2. 半導体メモリ，それを用いた半導体メモリシステム，および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法, 出願番号：特願2007-236635，出願日：2007年9月12日，公開番号：特開：2008-270705，公開日：2008年11月6日，登録番号：特許4594971，登録日：2010年9月24日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  3. 半導体メモリ，それを用いた半導体メモリシステム，および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法, 出願番号：PCT/JP2007/001361，出願日：2007年12月6日，公開番号：WO 2008/087692，公開日：2008年7月24日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  4. 半導体素子, 出願番号：12/599,638(US)，出願日：2007年12月6日，公開番号：US 2010/0308328，公開日：2009年11月10日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎，村上秀樹
  5. 発光素子およびその製造方法, 出願番号：特願2008-70602，出願日：2008年3月19日，公開番号：特開2009-224736，公開日：2009年10月1日，登録番号：特許4392045，登録日：2009年10月16日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  6. バイオセンサーおよびその製造方法, 出願番号：特願2008-77082，出願日：2008年3月25日，公開番号：特開2009-229341，公開日：2009年10月8日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎，村上秀樹
  7. 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法, 出願番号：特願2008-77922，出願日：2008年3月25日，公開番号：特開2009-229390，公開日：2009年10月8日，出願人：国立大学法人 広島大学, 岡田竜弥，牧原克典，宮崎誠一
  8. 半導体メモリ，それを用いた半導体メモリシステム，および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法, 出願番号：特願2008-538611，国際出願番号：PCT/JP2008/000740，出願日：2008年3月26日，公開番号：WO2009/118783，公開日：2009年10月1日，登録番号：特許4265817，登録日：2009年2月27日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  9. 測定装置および測定方法, 出願番号：特願2008-552633，国際出願番号：PCT/JP2008/002067，出願日：2008年7月31日，公開番号：WO2010/013292，公開日：2010年2月4日，登録番号：特許4322958，登録日：2009年6月12日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  10. 発光素子およびその製造方法, 出願番号：12/212,406(US)，出願日：2008年9月17日，公開番号：US 2009/0236584，公開日：2009年9月24日，登録番号：7768032，登録日：2010年8月3日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，東清一郎
  11. 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法, 出願番号：特願2008-330536，出願日：2008年12月25日，公開番号：特開2010-153612，公開日：2010年7月8日，登録番号：特許5231977，登録日：2013年3月29日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一，池田弥央，島ノ江和広
  12. 半導体製造装置，ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法,出願番号：特願2008-330524，出願日：2008年12月25日，公開番号：特開2010-153610，公開日：2010年7月8日，出願人：国立大学法人 広島大学, 牧原克典，宮崎誠一
  13. 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法, 出願番号：特願2009-77922，出願日：2009年3月27日，公開番号：特開：2010-232401，公開日：2010年10月14日，出願人：国立大学法人 広島大学, 岡田竜弥，牧原克典，宮崎誠一
  14. 半導体薄膜およびその製造方法, 出願番号：特願2012-041844，出願日：2012年2月28日，公開番号：特開2013-179154，公開日：2013年9月9日，出願人：日新電機株式会社, 牧原克典，宮崎誠一，林司
　　　

現在の研究テーマ

  • 精密電子制御したシリコン系ナノ結晶の立体集積構造作成と光電子融合デバイス応用
  • シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成
  • シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発
　　　

受賞歴

  • 第31回（2011年秋季）応用物理学会講演奨励賞 / 牧原克典 / 公益社団法人 応用物理学会 / 2012.3.15
  • ISPlasma2012 Best Presentation Award / Katsunori Makihara, Hidenori Deki, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki / ISPlasma2012 Organizing Committee Chair / 2012.3.8
  • Award for Encouragement of Research in Materials Science / The Materials Research Society of Japan (MRS-J), The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) / 2008.12.13
  • 広島大学学生表彰 / 広島大学長 / H18.3.23
  • Award for Encouragement of Research of Materials Science / Materials Research Society of Japan / 2005.12.28
  • 応用物理学会 支部学術講演会発表奨励賞 / 応用物理学会 中国四国支部長 / H17.10.20
  • 2005 IMFEDK Best Student Award / IEEE, The EDS Kansai Chapter / 2005.4.13
　　　

所属学会

　　　

学会役員・委員

  • 応用物理学会 東海支部：庶務幹事補佐(2015.4-2016.3)、広報幹事(2016.4-)
  • 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会：表面・界面・シリコン材料研究委員会(2017.4-)
  • 日本真空学会 東海支部：企画幹事(2011-)
  • 日本表面科学会 中部支部：広報幹事(2015-)
  • 第82回 応用物理学会秋季学術講演会 現地実行委員(2021.9)

国際会議組織委員

  • The 9th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX; 2022)

国際会議実行委員

  • The 9th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX; 2022(副実行委員長))
  • The 8th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII; 2019(総務))
  • The 8th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ICSI-8/ISCSI-VII; 2013(総務))
  • Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 2011, 2012, 2018, 2019(実行総務), 2023(実行総務, Tutorial Organizer))
  • Int. Symp. on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma; 2014, 2015, 2016(総務))
  • Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS; 2011, 2012, 2013, 2014, 2015, 2016)

国際会議プログラム委員

  • Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 2023(Area 11))
  • Int. Conf. on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS; 2021)
  • Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC; 2014, 2015, 2016, 2017, 2020, 2021)
  • Int. Symp. on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma; 2017)
  • The 8th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII; 2019)

講義等

  • 電子光科学ゼミナールIV（@大阪大学）；2013年
  • 量子工学特論；2013年、2014年、2015年、2016年
  • 大実験（Si-MOS構造の作製とメモリデバイス応用）；2013年-2014年
  • 大実験（有機発光素子の作成と特性評価）；2011年、2012年
  • 学生実験（ダイオード・トランジスタの特性）；2011年-2014年
  • 線形回路；2013年-現在
  • 線形回路演習；2011年、2012年